рівень Фермі.

Представлено результати моделювання та експериментальні дослідження структурних, магнітних, електрокінетичних та енергетичних властивостей термометричного матеріалу Hf1-xNbxNiSn, а також функцій перетворення чутливих елементів термоелектричного термометра на його основі за температур 4.2–1000 К. Для випадку упорядкованого варіанту кристалічної структури термометричного матеріалу встановлено одночасне генерування донорних та акцепторних станів у забороненій зоні εg напівпровідника.

The results of modeling the thermometric characteristics of the semiconductor solid solution Lu1-xZrxNiSb, which is a promising thermometric material for the manufacture of sensitive elements of thermoelectric and electro resistive thermocouples, are presented. Modeling of the electronic structure of Lu1-xZrxNiSb was performed by the Korringa-Kohn-Rostoker (KKR) method in the approximation of coherent potential and local density and by the full-potential method of linearized plane waves (FLAPW).