електропровідність

Представлено результати експериментальних досліджень чутливих елементів перетворювачів температури на основі напівпровідникового термометричного матеріалу HfNi1-xCuxSn. Термометричні матеріали HfNi1-xCuxSn, х=0.01–0.10, виготовляли сплавленням шихти компонентів в електродуговій печі з вольфрамовим електродом (катод) в атмосфері очищеного аргону під тиском 0,1 кПа на мідному водоохолоджуваному поді (анод). Термічна обробка сплавів полягала у гомогенізуючому відпалюванні за температури 1073 К. Відпал зразків проводили на протязі 720 год.

The results of experimental studies of sensitive elements of temperature transducers based on semiconductor thermometric material Lu1-xScxNiSb, x=0.01–0.10, are presented. Thermometric materials Lu1-xScxNiSb were made by fusing a mixture of components in an electric arc furnace with a tungsten electrode (cathode) in an atmosphere of purified argon under a pressure of 0.1 kPa on a copper water-cooled hearth (anode). Heat treatment of alloys consisted of homogenizing annealing for 720 h in vacuumed to 1.0 PA at a temperature of 1073 K.

The results of modeling the properties of the semiconductor solid solution Lu1-xScxNiSb, x=0–0.10, which is a promising thermometric material for the manufacture of sensitive elements of thermocouples, are presented. Modeling of the electronic structure of Lu1-xScxNiSb was performed by the Korringa-Kohn-Rostoker (KKR) method in the approximation of coherent potential and local density and by the full-potential method of linearized plane waves (FLAPW).

The results of experimental research of perspective thermometric material Lu1-xZrxNiSbwhich can be used for the production of sensitive elements of thermoelectric and electroresistive thermometers are presented. Thermometric materials Lu1-xZrxNiSb, x=0.01–0.10, were made by fusing a charge of components in an electric arc furnace with a tungsten electrode (cathode) in an atmosphere of purified argon under a pressure of 0.1 kPa on a copper water-cooled hearth (anode). Heat treatment of alloys consisted of homogenizing annealing at a temperature of 1073 K.

The results of modeling the thermometric characteristics of the semiconductor solid solution Lu1-xZrxNiSb, which is a promising thermometric material for the manufacture of sensitive elements of thermoelectric and electro resistive thermocouples, are presented. Modeling of the electronic structure of Lu1-xZrxNiSb was performed by the Korringa-Kohn-Rostoker (KKR) method in the approximation of coherent potential and local density and by the full-potential method of linearized plane waves (FLAPW).

The results of a comprehensive study of the crystal and electronic structures, kinetic and energetic performances of the semiconductor thermometric material Er1-xScxNiSb, (x=0–0.1) are presented. Microprobe analysis of the concentration of atoms on the surface of Er1-xScxNiSb samples established their correspondence to the initial compositions of the charge, and the diffractograms of the samples are indexed in the structural type of MgAgAs.

Oкисненням аніліну з використанням амоній пероксидисульфату у водних розчинах фосфатної кислоти на поверхні порошкоподібного глауконіту приготовлені глауконіт-поліанілінові композити. За допомогою Х-променевої дифракції та ІЧ спектроскопії з перетворенням Фур’є підтверджено міжмолекулярну взаємодію між аморфними макромолекулами поліаніліну та міжфазне зв’язування поліаніліну до поверхні глауконіту.

Проведено реакції гідросилілування 2,4,6,8-тетрагідро-2,4,6,8-тетраметилциклотетра-силоксану (D4H) з 2,2,3,3-тетрафлуорпропіл акрилатом та вінілтриетоксисиланом у присутності платинових каталізаторів (платино хлориста воднева кислота, каталізатор Карстеда і каталізатора Pt/C (10%) за температури 323 К) та одержано відповідний адукт (D4R,R‘). За допомогою Фур‘є-спектроскопії, 1H, 13C, та 29Si ЯМР спектроскопії проведено аналіз синтезованого продукту D4R,R‘. Вивчено золь-гель реакції D4R,R‘, допованого трифлуорметилсульфонатом літію (трифлат) та одержано тверді полімер-електролітні мембрани.

Automated The results of modeling performances of the semiconductor solid solution Er1-xScxNiSb are presented, which can be a promising thermometric material for the manufacture of sensitive elements of thermoelectric and electroresistive thermocouples. Fullprof Suite software was used to model the crystallographic characteristics of the Er1-xScxNiSb thermometric material.

Вивчено реакцію гідросилювання 2,4,6,8-тетрагідро-2,4,6,8-тетраметилциклотетрасилоксану (D4H) алілтрифлуороацетату та вінілтриетоксисилану, у присутності платинових каталізаторів. З використанням Фур‘є-, 1H, 13C, та 29Si ЯМР спектроскопії проведено аналіз синтезованого продукту D4R,R'. За допомогою соль-гелевих реакції систем D4R,R', промотованих трифлуорометилсульфонатом літію (трифлат) одержано тверді полімерні електролітні мембрани. Встановлено, що електропровідність полімерних електролітних мембран за кімнатної температури змінюється в діапазоні (4•10-5)–(6•10-7) См/см.