температура

У роботі вивчено параметри, необхідні для забезпечення працездатності кібер-фізичної системи керування вирощуванням рослин у замкнутому приміщенні теплиці. Встановлено, що для оптимізації роботи необхідно керувати декількома групами параметрів, що стосуються підсистем температури, вологості та інсоляції. Підібрано відповідні сенсори та актуатори, включаючи сенсори керування вмістом вуглекислого газу. Вивчено рівномірність встановлення режимів роботи системи, як по площі, так і в об’ємі теплиці.

Температура  газових  потоків  є важливим параметром технологічного процесу, визначає кількісні і якісні показники вихідного продукту, наявність браку, стан технологічного обладнання, а також безпеку функціонування процесу. Тому вимірювання її  необхідно проводити неперервно, з високою точністю, невеликою інерційністю і високою надійністю, оскільки інформативний сигнал про значення температури використовується в інформаційно-вимірювальних системах та автоматичних системах контролю та регулювання.

Досліджено  методичні  похибки  двокольорової  компенсаційної  та  класичної  енергетичної  й спектрального відношення пірометрії випромінювання під впливом змінних випромінювальних характеристик металевих сплавів. Випромінювальні характеристики кількісно оцінено за допомогою середнього рівня випромінювальної здатності та коефіцієнта  селективності.

Успішне  впровадження  у  металургійне  виробництво  систем  автоматизації  неможливе  без  наявності надійної та достовірної первинної  інформації про параметри технологічного процесу.

Наведено  результати  дослідження  залежності  похибки  визначення  температури  термометрами випромінення від коефіцієнта випромінювальної здатності досліджуваних об’єктів. Проаналізовано математичні моделі, які  описують  залежності  між  дійсним  значенням  термодинамічної  температури  і  виміряними  пірометрами  уявними температурами, із урахуванням впливу значення коефіцієнта випромінювальної здатності матеріалів. Ці моделі покладено в  основу  побудови  найпоширеніших  типів  пірометрів,  зокрема:  яскравісного,  повного  випромінення  та  спектрального відношення.

У  роботі  подано  результати  дослідження  залежності  похибки  прогнозування  значення  температури нейронними  мережами  від  похибки  вимірювання.  Описано  алгоритм  створення  тестових  послідовностей  та  навчання нейронних  мереж.  Наведено  результати  дослідження  залежності  похибки  прогнозування  значення  температури  від мультиплікативної,  нелінійної  та  випадкової  складових  похибки,  а  також  описано  результати  дослідження  залежності похибки прогнозування значення температури від одночасного впливу цих складових.

У  роботі  запропоновано  аналітичне  дослідження  складової  інструментальної  похибки  термоперетворювачів,  спричиненої  протіканням  тепла  під  час  вимірювання  високих  температур.  Значення  вказаної  похибки залежить від конструктивного виконання термоперетворювачів, інтенсивності теплообміну із вимірюванням середовищ і особливостей його контакту із зовнішнім середовищем.

Подано  опис  експериментального  устаткування  для  відпрацювання  способу  вимірювання температури розплаву металу за допомогою оптичного волоконного пірометра. Температуру запропоновано вимірювати, занурюючи зонд у метал крізь шар шлаку.

Викладено  результати  дослідження  залежності  похибки  прогнозування  температури  потоку  води  та повітря  від  кількості  входів  нейронної  мережі  та  перевірки  навченої  нейронної  мережі  на  експериментальних  даних. Наведено  формулу  температурного  перехідного  процесу  та  описано  створення  тестових  послідовностей  для  навчання нейронних мереж. Подано малюнки  та  опис  устав,  за  допомогою  яких  виконано  вимірювання  значень  температурного перехідного процесу. Описано результати проведених експериментальних досліджень.

Можливість впровадження еталону квантової температури потребує приділення істотної уваги I-T перетворювальному елементу, як унікальному електронному пристрою, що підлягає істотним навантаженням під час роботи. Враховуючи його нанорозмірність, оскільки елемент виготовляється на основі  CNTFET конструкції шляхом її трансформування у нанорозмірний термоелектричний перетворювач (стік та витік) з надпровідним затвором, ми передбачаємо особливо жорсткі вимоги до даного елемента.